三星在美投资400亿美元，低于台积电650亿美元
同步引进最先进工程……综合生态级设施多元化
当地时间4月12日，美国总统拜登出席了在白宫举行的“恢复半导体和供应链首席执行官（CEO）峰会”，图中拜登手举着一块硅晶片。（图片来源：华盛顿/美联社 韩联社）
有分析认为，三星电子之所以能在美国获得大规模补贴是因为三星给美国带来的“综合礼包”。三星电子承诺，将先于台积电(TSMC)在美国引进最尖端的工艺，并在当地建立包括封装和研发(R&D)在内的综合生态系统。
根据15日美国商务部发布的新闻稿，美国商务部评价称，(三星电子的投资将使得克萨斯州)转变为开发和生产最尖端半导体的综合生态系统。美国宣布对TSMC提供补贴时没有使用“综合生态系统”这一表述。虽然三星电子(400亿美元)的投资规模比TSMC(650亿美元)小，但在内容方面却大不相同。
首先，三星电子决定在美国几乎同步引进最尖端的工艺。三星电子计划明年在韩国国内Fab(半导体制造设施)开始量产2纳米芯片，并于2026年在德克萨斯州泰勒Fab同步实现这一点。也就是说，由于正处于引进最尖端技术的时期，韩国国内和美国之间在时间上几乎没有差距。与之形成对比的是，TSMC计划在2028年将2纳米工艺引入美国，时间相差3年左右。
三星电子还承诺，除了最先进的工厂外，还将在美国建设各种设施。这与刚刚公布了Fab增建计划的TSMC有一定的区别。首先，三星将在德克萨斯州泰勒市建设现有计划中没有的先进封装设施，生产用于人工智能(AI)的半导体——高带宽存储器(HBM)等。相当于半导体后工序的封装是美国政府为了提高在全球市场中3%的占有率而努力的领域。美国认为，若封装不在本国进行，对国家安全与供应链的风险很大。
安全和研发合作也是重点。美国商务部表示，三星提出的投资计划还包括承诺与美国国防部合作。三星电子计划在得克萨斯州泰勒市建立研发实验室，并与当地产业和学界合作。美国商务部表示，这是历史首次外国企业在美国设立研发设施。
李在妍 记者
