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三星电子从美国政府获得的半导体补贴最高将为64亿美元，这与世界第一代工企业台积电(TSMC)从美国获得的补贴规模相当。三星电子计划在美国投资400亿美元以上，并从2026年开始在当地启动最尖端工程。
当地时间15日，美国商务部表示，已签署了一份不具约束力的备忘录，内容为向三星电子提供最高64亿美元的现金补贴。美国商务部此前曾根据《芯片和科学法案》(CHIPS Act)，决定向英特尔提供最高85亿美元的现金补贴，向台湾台积电提供最高66亿美元的现金补贴，该战略旨在增加在美国国内生产的半导体比重。
三星电子计划在获得补贴的同时，将在美国当地的投资规模扩大一倍以上。美国商务部表示，三星电子未来数年将在美国投资超过400亿美元，并有望由此创造超过2万个工作岗位。2021年三星确定在美国德克萨斯州泰勒建设新代工厂时公布将投资170亿美元，而目前公布的新投资规模与当时相比翻了一番。
通过此次大规模投资，三星电子或将大幅扩充德克萨斯生产基地。三星电子决定在泰勒新建2个系统半导体制造设施(Fab)、研发设施(R&D)和尖端封装设施，并扩建现有的奥斯汀工厂。同时，在泰勒新设的代工厂将从2026年开始启动2纳米工程。台积电和三星电子的目标都是计划明年开始量产用超微细最尖端工艺制造的2纳米芯片。
李在妍 记者
