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英特尔将最快实现“1纳米”芯片的生产……目标是到2030年超过三星

英特尔举行首次代工论坛

当地时间2月21日,在美国加利福尼亚圣何塞举行的英特尔第一次代工论坛(Direct Connect)上, 英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格正在发表尖端工程芯片生产的路线图。(图片来源:玉基元 记者)

半导体委托生产(代工)的后起之秀英特尔表示,将比业界排名第一、第二的台积电、三星电子更早引进1.4纳米(英特尔14A)工程,点燃了1纳米芯片生产竞争的火焰。英特尔表示,将在制造芯片的同时,建立只进行封装和测试的服务,到2030年超过业界排名第二的三星电子。重新进军代工业务的英特尔的战略是否会动摇高达1400亿美元的全球代工市场备受关注。

当地时间21日,英特尔在美国加利福尼亚圣何塞举行了第一次代工论坛(Direct Connect),宣布2025年引进1.8纳米级(英特尔18A)工艺之后,将在2027年推出1.4纳米工艺(英特尔14A-E,1.4纳米第二代)产品,这是英特尔首次宣布关于1.4纳米工程的计划。仅从英特尔的1纳米级工程计划来看,比被评价为在技术能力上遥遥领先的三星电子和台积电快了一年左右。通过以先进工程为先导展示技术能力来吸引客户公司是后起之秀英特尔的战略之一,英特尔宣布重新进军代工业务是在2021年初。

英特尔去年年底在业界率先收到了ASML的High-NA 极紫外(EUV)光刻机,英特尔计划将该设备投放到美国俄勒冈州工厂。为了跨越目前最高工程水平2纳米的高墙,能释放更细微波长的该设备是必不可少的,每台设备的价格估计超过5000亿韩元。

但业界对此前在生产10纳米以下工艺芯片上都很艰难的英特尔时隔5年生产1纳米级产品的计划充满怀疑。不愿透露姓名的半导体业界相关人士表示,在没有微细工程量产经验的情况下,时隔几年从7纳米跳到3纳米后,突然跳到1纳米的计划的稳定性令人怀疑。超越技术开发,究竟能否提高收率并取得收益,还有待观察。

不仅是尖端技术,为扩大成熟(传统)工程,英特尔计划加强行业间的合作。在成熟程方面具有优势的台湾UMC提供在12纳米以上工程中积累的设计资产(IP),英特尔则将支援鳍式场效应晶体管(FinFET)工程技术。鉴于业界排名第一的台积电销售额中有一半来自传统工程,英特尔似乎是想在中长期内扩大代工影响力。

英特尔当天表示,将重新打造将芯片生产和后续封装(芯片布局及组装等后工序)分开的“系统代工”服务领域,目标是到2030年在全球代工产业排名升至第二。例如,从芯片生产到封装、测试,将原来一条龙进行的代工服务分开,可以为其他制造商的芯片提供后工程、测试服务。有分析认为,为了有效适应人工智能时代暴增的数据,将三维叠层技术和其他芯片结合在一起的技术变得非常重要,因此英特尔试图将自己握有优势的封装、测试工序的优点最大化。

英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格在出席论坛时表示,与创新芯片设计师一起打造的系统代工业务将创造新市场,并开启代工革命。

OpenAI首席执行官萨姆·奥尔特曼也出席了当天论坛,表示在人工智能半导体方面将加强与英特尔的合作。

圣何塞/玉基元 记者

韩語原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/global/1129330.html

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