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三星:2025年量产2纳米工艺半导体……新一代晶圆代工杀手锏

在“三星晶圆代工论坛”上公开2纳米芯片量产路线图

当地时间6月27日,在美国硅谷,三星电子晶圆代工业务部门社长崔时荣在“2023三星晶圆代工论坛”上发表主旨演讲。(图片来源:三星电子)

在全球晶圆代工(半导体委托生产)行业,新一代“2纳米”尖端工艺半导体的量产竞争点燃。三星电子提出,到2025年在生产用于移动设备的芯片中引入2纳米工艺等具体路线图,并面向客户公开其技术能力。晶圆代工领域排名第一的台积电(TSMC)将于今年下半年着手准备生产2纳米芯片试制品。传统强者英特尔也在大幅加强对晶圆代工部门的投资,预计企业之间的竞争将更加激烈。 

当地时间 27日,三星电子在美国硅谷举行“三星晶圆代工论坛2023”活动,发表了具体的2纳米以下晶圆代工工程路线图。即自2025年起以移动终端为中心,到2026年将2纳米工艺适用于高性能计算机集群(HPC),并于2027年将其用途扩至车用芯片。2纳米是指半导体电路线宽,线宽越小越能制造低能耗、高性能、超小型半导体。三星电子表示,2纳米工艺芯片的性能将比3纳米工艺芯片提高12%,电力效率将提高25%。

在最新工艺技术上领先的企业是台积电和三星电子。以3纳米工艺为准,三星电子的技术能力落后于台积电1年左右,但预计在2025年正式量产2纳米半导体的情况下,两家公司之间的差距将消失。三星电子认为,被誉为纳米竞争核心的全环绕栅极(GAA,Gate All Around)晶体管技术最早于去年6月在3纳米芯片量产中引进,将成为技术逆转的契机。GAA技术是克服工艺微细化导致晶体管性能下降,提高数据处理速度和电力效率的新一代半导体核心技术。据悉,台积电将从2025年2纳米工程开始应用该技术。 

台积电将原定于明年初生产的2纳米工程试制品提前到了今年年底。据分析,这是为了牵制在技术力量上迅速追赶的三星电子和重新进入晶圆代工事业的英特尔而采取的措施。若在2纳米量产上领先,在确保要求尖端技术能力的客户公司方面也可以占据一席之地。台媒《自由时报》报道称,台积电已确保苹果和NVIDA为2纳米工程的客户公司。

3纳米以下的晶圆代工工程有望成为企业激战地。市场调查机构Omdia认为,全球半导体市场规模将从2023年的5528亿美元增长到2026年的7162亿美元,年均增长9.1%,晶圆代工市场将从2023年的1202亿美元增长到2026年的1879亿美元,年均增长12.9%。值得一提的是,3纳米以下工程占总晶圆代工销售额的比重将从8%增加到24.4%。

玉基源 记者

韩語原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/marketing/1097902.html

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