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三星电子计划在2025年和2027年分别引进2纳米、1.4纳米芯片制造工艺

与台积电、英特尔等展开超高端芯片制程竞争

当地时间10月3日,三星晶圆代工论坛&SAFE论坛在美国加州硅谷举行。图为崔时荣公布2027年量产1.4纳米芯片的计划。 (图片来源:三星电子)

继今年6月三星电子宣布全球首款3纳米工艺芯片投产后,三星电子又表示将在2027年引进1.4纳米工艺。智能手机之后,人工智能(AI)和无人驾驶技术的大众化使高端芯片的需求大幅增加,预计在日益扩大的晶圆代工市场上,三星电子将与台积电(TSMC)等企业展开激烈的竞争。

当地时间3日,“三星电子晶圆代工论坛2022”在美国加利福尼亚州硅谷举行。活动中,三星电子发布最新晶圆代工事业发展规划和新技术成果。在时隔3年举行的线下活动上,三星电子主管晶圆代工业务的部长(社长)崔时荣表示,将基于下一代晶体管结构全环绕栅极(Gate All Around·GAA)技术不断创新工艺,计划2025年引进2纳米芯片制造工艺,2027年引进1.4纳米工艺。

三星此前已提出2纳米制程量产计划,引进1.4纳米制程计划为首次公布。今年6月,三星电子宣布全球首款3纳米工艺芯片投入量产。三星电子用GAA晶体管技术取代之前使用的鳍式场效应晶体管(FinFET)大幅提升了效能。三星电子计划进一步发展GAA晶体管技术。

据市场调查机构Omdia透露,晶圆代工市场预计将从今年的1105亿美元增加到2025年的1592亿美元,增幅约为50%。以第二季度为准,三星电子的市场份额为13%(以销售额为准),与排名第一的台积电(56%)相差甚远。三星电子的市场份额曾一度上升到19%(2019年第一季度),甚至超过了20%,但现在有所下降,与台积电的差距进一步拉大。台积电已经确保了苹果、高通、英伟达、AMD等客户。这些企业主要设计用于智能手机、人工智能(AI)、物联网(IoT)的高端芯片和使用这些芯片的产品。

晶圆代工企业在芯片制程开发上竞争也相当激烈。台积电计划今年下半年开始量产3纳米制程芯片,2025年引进2纳米工艺并投入量产。据悉,虽然3纳米将继续采用FinFET晶体管,但2纳米之后将像三星电子一样采用GAA晶体管。去年再次进军晶圆代工事业的英特尔表示,计划在2024年将2纳米制程芯片投入量产。

产业研究院研究委员金良彭(音)表示,目前台积电已经掌握了市场,因此三星电子有必要按照发表的内容开发工艺,积累信用从而确保客户。

三星电子表示,为了确保客户,到2027年将先进节点的产能扩大3倍以上。另外,三星电子还计划通过运营“Shell First”生产线,迅速、灵活地应对市场需求。也就是说,将首先建设生产芯片的无尘车间,确保稳定的产能,以积极应对客户需求。三星电子计划在美国泰勒晶圆代工工厂的第二生产线上使用“Shell First”战略,今后将扩大到国内外生产线。

业界指出,三星电子芯片的竞争力与过去相比有所下降。在存储芯片DRAM方面,SK海力士推出了业界最先进的DRAM“HBM3”。SK海力士去年开发出该产品后,从今年6月开始投入量产,并供应给英伟达。三星电子在系统半导体之一的应用处理器芯片(AP)上也处于劣势。三星电子决定在明年年初推出的“Galaxy S23”上使用高通产品,而不是本公司的“Exynos”。

一位证券公司分析人士表示,随着美中矛盾等国际变数,三星电子在存储芯片市场所拥有的强大竞争力正在减少,并在晶圆代工市场上进一步落后,因此三星电子半导体事业的竞争力受到了质疑。对此,三星电子相关人士解释称,不是技术力下降,而是正在灵活应对市场状况。

另外,三星电子还将于7日、18日、20日分别在欧洲(德国慕尼黑)、日本(东京)、韩国(首尔)举行“三星晶圆代工论坛”。

李政勋 记者

韩語原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/marketing/1061319.html

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