三星电子1月19日宣布已开始批量生产“4GB HBM2 D-RAM”模块，其数据保管及读取速度比之前上市的最高性能的D-RAM高七倍。D-RAM是高集成度的半导体储存装置。此次批量生产使得三星电子的内存模块产品项目完成重组，向以生产用于高性能计算机的高级产品为中心转变。
“4GB HBM2 D-RAM”截面图(左)和 HBM2 D-RAM”截面图（右）（图片来源：三星电子提供，韩民族日报社 ）
此次投入批量生产的HBM2 D-RAM模块使用的是所谓的“硅通孔技术(TSV)”，其特征是利用技术（见照片）提高数据处理速度，减少电消耗，安装电板时缩小所占面积。硅通孔技术是将芯片削得比一般纸张的一半厚度还薄，将有五千多个孔的存储芯片依次堆起后，从孔中穿线连接。而现有存储模块使用的方法是在排列了芯片之后用金线连接。
该产品使用第二代规格（HBM2），速度比现有第一代规格产品高约两倍，实现了在新一代显卡和超高性能计算环境中所要求的“超省电、超薄、高可靠性”。三星电子在去年10月批量生产128GB DDR 4D-RAM模块，扩大了超高速内存卡比重，仅时隔两个月就成功批量生产第二代高速内存卡模块，被评价称抢先占领了图形DRAM市场。三星电子计划在今年上半年批量生产8GB存储卡，其容量将是4GB的两倍。
三星电子解释称，“截至目前已开发的D-RAM中，与速度最快的4GB GDDR5（9Gbps）相比，处理速度将提升七倍以上，安装电板时所占面积仅为5%”。
金在燮 记者
