登录 : 2016.01.20 10:03 修改 : 2016.01.20 10:04

三星电子1月19日宣布已开始批量生产“4GB HBM2 D-RAM”模块,其数据保管及读取速度比之前上市的最高性能的D-RAM高七倍。D-RAM是高集成度的半导体储存装置。此次批量生产使得三星电子的内存模块产品项目完成重组,向以生产用于高性能计算机的高级产品为中心转变。

“4GB HBM2 D-RAM”截面图(左)和 HBM2 D-RAM”截面图(右)(图片来源:三星电子提供,韩民族日报社 )
此次投入批量生产的HBM2 D-RAM模块使用的是所谓的“硅通孔技术(TSV)”,其特征是利用技术(见照片)提高数据处理速度,减少电消耗,安装电板时缩小所占面积。硅通孔技术是将芯片削得比一般纸张的一半厚度还薄,将有五千多个孔的存储芯片依次堆起后,从孔中穿线连接。而现有存储模块使用的方法是在排列了芯片之后用金线连接。

该产品使用第二代规格(HBM2),速度比现有第一代规格产品高约两倍,实现了在新一代显卡和超高性能计算环境中所要求的“超省电、超薄、高可靠性”。三星电子在去年10月批量生产128GB DDR 4D-RAM模块,扩大了超高速内存卡比重,仅时隔两个月就成功批量生产第二代高速内存卡模块,被评价称抢先占领了图形DRAM市场。三星电子计划在今年上半年批量生产8GB存储卡,其容量将是4GB的两倍。

三星电子解释称,“截至目前已开发的D-RAM中,与速度最快的4GB GDDR5(9Gbps)相比,处理速度将提升七倍以上,安装电板时所占面积仅为5%”。

金在燮 记者

韩語原文: http://www.hani.co.kr/arti/economy/it/726944.html

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