左右韩国半导体企业当前“超级周期”前景的一大变量，是“中国半导体的崛起”。凭借庞大内需市场不断壮大实力、提升技术水平的“中国版三星电子和SK海力士”正大举投资扩产，由此引发其是否会撼动市场格局的担忧。
据业界18日消息，中国半导体企业的存储芯片产能已达到不容忽视的水平。市场调研机构Omdia数据显示，中国最大动态随机存取存储器（DRAM）企业长鑫存储（CXMT）的DRAM晶圆年产量估计为354万片，相当于三星电子产量的43.1%、SK海力士的53.5%。在积极投资推动下，其DRAM产能较五年前的2021年（年产46.5万片）扩大了近8倍。
专注于NAND闪存的长江存储（YMTC）今年NAND晶圆年产量预计达到201万片，正紧追SK海力士的279万片。在NAND领域，中韩企业之间的技术差距仅为1至2年，市场竞争很可能进一步加剧。
被称为“中国版三星电子和SK海力士”的长鑫存储、长江存储等中国半导体企业，在中国政府自2014年至今累计投入6869亿元人民币的“国家集成电路产业投资基金”（包括一期至三期）等政策扶持下，不断积累自主技术。然而，在特朗普第一任期时的2019年底，美国政府禁止向中国出口极紫外（EUV）光刻机——这一在先进半导体上刻画精细电路不可或缺的设备，给中国企业带来了直接冲击。没有这种设备，无论是承担运算任务的逻辑芯片还是存储芯片，都无法生产最先进的产品。
不过，近来中国企业之所以备受关注，是因为它们通过自主技术取得突破，逐步找到绕开美国出口管制的路径，“半导体自主”进程明显提速。受全球存储芯片供应短缺及价格上涨推动，长鑫存储已成功扭亏为盈，其运营主体长鑫科技也即将于本月底在科创板上市。加上营业利润和上市募集资金，该公司已为大规模投资储备了充足“弹药”。
不过，业界普遍认为，中国半导体企业目前尚不会立即对韩国企业构成威胁。尖端设备不足等问题仍待解决，在用于人工智能的高带宽存储器（HBM）、晶圆代工等领域，中国企业与韩国企业的技术差距仍在3年以上。此外，作为人工智能投资发源地的美国，其主要科技企业因技术安全政策趋严而对采用中国芯片持谨慎态度，这也对韩国半导体业界构成有利因素。
成均馆大学半导体融合工程系教授李宇根表示：“中国的优势在于内需市场庞大，基础科学实力雄厚。中国企业近来也在借助超级周期利好实现盈利，因此将积极加大投资力度。”
朴钟午 裴智贤 记者
