美国政府最终没有接受韩国政府和企业提出的放宽可能使进军中国的韩国芯片工厂竞争力恶化的“《芯片与科学法案》的护栏条款 （Guardrail Provision）”的要求。美国拜登政府维持并确定了受美国政府资助的实体今后10年内在中国的半导体生产能力扩张范围限制在5%以内的方案。三星电子和SK海力士投入数十万亿韩元在中国当地建立了工厂，但根据美国政府的限制，半导体战略将不得不进行修改。
产业研究院专门研究员金良彭(音)24日就美国《芯片法》护栏条款的最终规则表示：“最近美中矛盾加剧，值得庆幸的是，最终规则没有比3月的草案更糟糕”，“在华的韩国芯片工厂虽然可以维持现状，但应该认为韩国企业今后不可能扩大在中国的投资”。
此前，KB金融控股经营研究所研究委员沈京锡(音)20日通过报告书分析称：“由于美国加强对华技术投资限制，在中国以外的其他地区建厂并可以代替中国工厂产量之前，需要探索逐渐减少中国国内存储芯片产量等战略。”他还指出，应该摸索出口战略。
三星电子和SK海力士没有表明正式立场。不愿透露姓名的半导体业界相关人士表示：“限制10万美元以上的重大交易等规定也有可以灵活变通部分”，“事实上，同时也有限制中国工厂增设的问题。所以有必要以分析护栏条款为基础，制定细致的应对方案。”
美国商务部当地时间22日公布的《芯片法》护栏条款最终规则中包含了进军美国并获得补贴的企业在中国等受关注国家扩大半导体生产能力超过规定时须返还补贴金的内容。美国政府计划向企业提供390亿美元的半导体生产补贴和527亿美元的半导体生产、研究及人才开发贷款及贷款担保。三星电子正在美国建设工厂，因此成为补贴对象，SK海力士也在权衡投资。
从护栏条款的具体标准来看，先进制程芯片的生产能力允许扩张到5%以下，28纳米以上的通用(legacy)半导体可以扩张到10%以下。不仅是先进制程芯片，后工程(包装)设备和洁净室等其他物理空间扩张时也将适用上述标准。但是删除了此前草案中的将重大交易上限定为10万美元的规定。
今年3月美国政府公布草案后，韩国政府和半导体业界提出了中国国内先进制程芯片产能扩大10%等核心要求，但美国政府事实上没有接受。美国政府此前提出禁止向中国出口半导体设备的措施，但给韩国企业提供了到今年10月为止1年的豁免期，但再延长的问题还没有得到解决。
由于这种投资限制措施，三星电子和SK海力士在华工厂的竞争力的不确定性将继续存在。三星电子在中国西安工厂生产128层NAND闪存，在苏州运营包装后工程工厂。海力士在中国大连和无锡的工厂分别生产96~144段NAND闪存和10~20纳米的DRAM。半导体产业随着技术变化的市场占有率竞争非常激烈，如果不能迅速升级制程，就有可能在竞争中被淘汰。
玉基源 记者
