韩国对外经济政策研究院《中国半导体国产化现状》
有分析认为，对韩国“K半导体战略”的核心领域、在确保技术上竞争激烈的新一代电力半导体来说，中国可能在5~10年内成为领头羊，中国的半导体设备国产化率也迅速上升。
韩国对外经济政策研究院27日发布的《中国半导体国产化推进现状》报告显示，中国为抢占用于电动汽车和能源储存系统(ESS)等的新一代电力半导体(SiC，GaN)的主导权，正在积极推进扩大竞争力。报告称:“在尖端半导体领域，由于制造工艺上各种专利壁垒，中国很难克服技术难关，而市场认为，在新一代电力半导体领域，中国可以在未来5-10年内领先”。新一代电力半导体方面，瑞士和意大利企业意法半导体(STM)在中国重庆市投资32亿美元，正在推进到2025年建设电力半导体生产工厂。
报告称，中国正在集中投资美国对华半导体制裁力度相对较弱的尖端半导体芯片设计(Fabris)力量。实际上，中国无厂半导体公司从2014年的681家增加到2021年的2810家，增加了4.1倍，期间无厂半导体公司销售额也增加了4.3倍(2021年4519亿元人民币)。
报告中还介绍了中国各半导体企业的特点。壁仞科技等无工厂初创企业拥有高性能图形处理器(GPU)设计能力，华为在封装(晶片封装后工程技术)、极紫外光刻技术(EUV)、电子设计自动化(EDA)等领域申请专利，阿里巴巴、字节跳动、腾讯等开始着手人工智能(AI)芯片设计。
中国的半导体设备国产化率也在快速上升。以去年为准，中国半导体设备国产化率为35%，仅一年就上升了14个百分点。据调查，北方华创、中微半导体等通过政府投资支援等快速保证技术力量，在蚀刻、薄膜、增粘等工程领域大幅提高了国产化率。
另外，报告还评价称，中国半导体制造竞争力与全球领先企业相比，在NAND闪存和DRAM上分别存在2年和5年左右的技术差距，中央处理器(CPU)、DRAM和NAND闪存领域的国产化率以2021年为准还只有个位数。
赵启完 高级记者
