DRAM与NAND价格大幅上涨
在大规模人工智能（AI）投资热潮的推动下，存储芯片价格自去年以来持续走强。最新预测显示，这一涨势至少还将持续一年。与此同时，有观点指出，当三星电子、SK海力士等全球半导体巨头正集中精力角逐高带宽存储器（HBM）市场时，在用于游戏机、电脑和智能手机等设备的传统通用存储芯片领域，中国企业的崛起将愈发明显。
市场研究机构Counterpoint Research于12日发布的报告《存储芯片价格暴涨及其对信息技术（IT）市场的影响》指出，由人工智能引发的半导体行业繁荣与“芯片通胀”（Chipflation）现象预计仍将持续。这是由于推理型AI的开发以及对大型数据中心的服务器投资不断扩大，带动了通用存储芯片需求的增长。Counterpoint Research存储芯片部门负责人黄民成（音）表示：“近期韩国半导体出口规模屡创新高，预计DRAM和NAND闪存的繁荣周期至少还将延续一年。”
这一预测也体现在近期DRAM和NAND闪存价格走势上。Counterpoint Research预测，今年第一季度DRAM和NAND闪存的价格将分别较上一季度上涨约150%至180%和130%至150%。黄民成指出：“以中国春节假期为节点，价格开始进一步攀升。由于供应无法满足日益增长的需求，市场正转向卖方占优的格局。”尽管三星电子正推进其位于美国德克萨斯州泰勒市的新工厂建设，SK海力士也在努力扩大包括忠清北道清州工厂在内的生产设施，但分析认为，只有当实际供应量显著增加后，当前强劲的芯片价格走势才有望有所回落。
然而，尽管目前韩国企业是这轮“芯片通胀”的主要受益者，但中国企业的迅速崛起正成为影响未来格局的变量。黄民成表示：“韩国企业主要围绕高带宽存储器和产品质量展开竞争，但在通用及传统存储芯片市场，中国企业的追赶步伐非常迅速。”他补充道，在获得中国政府巨额补贴且技术快速进步的长鑫存储技术（CXMT）、长江存储（YMTC）等企业，有望在除美国以外的全球市场中不断扩大份额。
权孝中 记者
