随着争夺先进半导体已成为世界各国工业政策的关键部分，对先进半导体生产过程至关重要的新一代“光刻设备”的竞争日趋激烈。荷兰ASML公司生产的极紫外光(EUV)光刻设备在这一市场上占据主导地位，但日本和中国正在研究制造先进半导体制造设备的新方法，以避免EUV光刻专利。预计这项技术的商业化不仅会影响半导体公司的竞争力，还会影响美国和中国之间的技术竞争。
据半导体行业7日报道，佳能公司于上月中旬推出了一款“纳米压印半导体制造设备”(FPA-1200NZ2C)，无需使用极紫外光刻技术即可生产出5纳米(㎚)以下的先进半导体。这项技术避开了ASML的极紫外光刻专利，其优点是无需使用极紫外等特殊光源，从而大大降低了功耗。
光刻是指在半导体生产过程中将电路图印刷到晶片上。半导体生产的竞争力取决于如何精确地绘制出半导体电路的线宽，而确保光刻设备能够进行这种精确的工作则是半导体公司竞争力的关键。ASML是世界上唯一一家生产极紫外线光刻设备的公司，这种设备是先进半导体生产工艺的关键，最小可达到7纳米，每台设备的价格估计为2亿美元。该公司每年仅生产60台设备。
佳能公司尚未将该设备投入生产，但该公司的目标是利基市场。在最近的一次媒体采访中，佳能公司首席执行官御手洗富士夫表示:“它将比极紫外光刻机的价格低一位数(价格的十分之一)，我不认为我们的技术会超越极紫外光刻技术，但它将创造新的市场机会和需求”。
中国的动向也引人注目。为了克服美国的设备出口限制，中国正在推动利用粒子加速器开发半导体生产设备。据香港《南华早报》报道，清华大学的研究人员在利用粒子加速器制造光源的项目上取得了进展，中国政府正推动在此基础上建设大型半导体光刻设备制造工厂。如果能够实现实用化，这将为中国自主生产2纳米级先进半导体铺平道路。
美国阻止中国进口极紫外光刻设备，但中国也在积极寻找“变通办法”。韩国经济政策研究院在本月6日的一份报告中分析了美国政府扩大对华的半导体出口管制措施，认为虽然中国在半导体制造方面将面临巨大困难，但设立400亿美元的基金等将是中国积极追求设备自给自足的机会。
一位不愿透露姓名的韩国半导体业内人士表示，对于那些难以引进昂贵极紫外光刻设备的小型代工厂(半导体委托制造商)来说，或将对佳能设备产生中长期需求，在进口ASML设备的途径受阻的中国，佳能设备可能被用作绕过美国法规的替代品。韩亚证券研究员裴圣惠（音）表示，中国今年1-8月的中标设备中，国产设备的占比上升到47%，比2021年的20%翻了一倍多。设备国产化进展迅速，制造经验不断积累，增加了突破7纳米以下大关的机会。
玉基源 记者
