去年第一代批量生产后,时隔21个月后再次进行技术革新

三星电子12月20日表示,业界首款——第二代10纳米级DRAM已经开始投入量产。在开始量产第一代10纳米级DRAM21个月后,三星电子再次实现了技术革新。

当天,三星电子表示,“自上月起,已量产全球最小的DRAM芯片,即10纳米级(1纳米=十亿分之一米)、8 Gb(gigabit)的 DDR4 DRAM第二代产品”,“克服了史上最难的工艺开发难题”。随着微细工程的高度发展,电路的宽度逐渐变窄,工艺上也存在诸多困难,因此很难提高性能和效率。三星电子继去年2月量产了第一代10纳米级DRAM后,时隔21个月成功量产生产效率、速度以及耗电量等全部得到提高的第二代产品。据业界评价称,与竞争对手相比,三星电子保持了两年左右的技术领先,在“半导体超级繁荣”下,有望巩固全球市场的领先地位。

相比第一代10纳米级DRAM,第二代10纳米级DRAM的生产效率可提高30%左右。另外,速度将提高10%,耗电量也减少了15%。三星电子自我评价称,“即使不使用新一代极紫外光刻(EUV)曝光装置(把电路画在晶片上的设备),与第一代10纳米级DRAM相比,生产效率也能提高30%左右,从而构筑了能够应对全球客户高级DRAM需求的超强竞争力”。 三星电子还评价称,以此次开发的创新工艺技术为基础,在业界率先拥有了服务器用DDR5、移动设备用LPDDR5、超级计算机用HBM3以及高性能显卡用GDDR6等新一代高端DRAM的量产基础。

三星电子目前在生产的DRAM中,60%为20纳米级工艺,40%为第一代10纳米级制程工艺。三星电子计划,将正式开始量产第二代10纳米DRAM,同时,将大幅降低20纳米级工艺比重。存储器事业部社长秦教英表示,“今后将通过扩大第二代纳米DRAM的生产,将高级DRAM市场全面转换为10纳米级,强化超强竞争力”。

崔玹准 记者

韩語原文: http://www.hani.co.kr/arti/economy/marketing/824366.html

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