去年第一代批量生产后，时隔21个月后再次进行技术革新
三星电子12月20日表示，业界首款——第二代10纳米级DRAM已经开始投入量产。在开始量产第一代10纳米级DRAM21个月后，三星电子再次实现了技术革新。
当天，三星电子表示，“自上月起，已量产全球最小的DRAM芯片，即10纳米级（1纳米=十亿分之一米）、8 Gb（gigabit)的 DDR4 DRAM第二代产品”，“克服了史上最难的工艺开发难题”。随着微细工程的高度发展，电路的宽度逐渐变窄，工艺上也存在诸多困难，因此很难提高性能和效率。三星电子继去年2月量产了第一代10纳米级DRAM后，时隔21个月成功量产生产效率、速度以及耗电量等全部得到提高的第二代产品。据业界评价称，与竞争对手相比，三星电子保持了两年左右的技术领先，在“半导体超级繁荣”下,有望巩固全球市场的领先地位。
相比第一代10纳米级DRAM，第二代10纳米级DRAM的生产效率可提高30%左右。另外，速度将提高10%，耗电量也减少了15%。三星电子自我评价称，“即使不使用新一代极紫外光刻（EUV）曝光装置（把电路画在晶片上的设备），与第一代10纳米级DRAM相比，生产效率也能提高30%左右，从而构筑了能够应对全球客户高级DRAM需求的超强竞争力”。 三星电子还评价称，以此次开发的创新工艺技术为基础，在业界率先拥有了服务器用DDR5、移动设备用LPDDR5、超级计算机用HBM3以及高性能显卡用GDDR6等新一代高端DRAM的量产基础。
三星电子目前在生产的DRAM中，60%为20纳米级工艺，40%为第一代10纳米级制程工艺。三星电子计划，将正式开始量产第二代10纳米DRAM，同时，将大幅降低20纳米级工艺比重。存储器事业部社长秦教英表示，“今后将通过扩大第二代纳米DRAM的生产，将高级DRAM市场全面转换为10纳米级，强化超强竞争力”。
崔玹准 记者
