韩产业研究院：新一代尖端产业供应链内在化战略
以镓为基础的新一代电力半导体……培育“游戏改变者”
图为半导体硅晶圆片。（图片来源：《韩民族日报》资料照片）
有分析认为，中国控制稀有金属镓出口意在抢占新一代半导体市场。
韩国产业研究院在2日发表题为《通过中国出口管制看尖端产业供应链和韩国的应对》报告中分析称，中国的出口管制超越了应对美国技术管制的报复性措施，从长远的角度与中国将新一代尖端产业供应链内在化、抢占市场的战略相吻合”。
中国商务部和海关总署本月1日起禁止未经中国政府许可出口稀有金属“镓、锗及其化合物”，中国生产全球90%的镓和60%左右的锗。
报告指出，中国控制镓出口与培育以氮化镓(GaN)为基础的“新一代电力半导体”的战略密切相关。新一代电力半导体不像现有半导体那样以硅为基础，而是以从稀有金属中提取的化合物为基础制造晶片，不需要像硅晶片一样的尖端技术和设备，被称为“第三代半导体”。中国政府一直将新一代电力半导体选定为能够应对美中技术竞争的“游戏改变者”，进行集中培育。目前，中国基于氮化镓的电力半导体相关专利数量仅次于日本(33%)，位居第二(28%)。
报告称，中国的新一代电力半导体技术与美国、日本等半导体发达国家差距相对不大。新一代电力半导体用于第五代(5G)移动通信和电动汽车，中国内需市场对此需求很大。中国将以核心原材料和产能、巨大的内需市场等为杠杆，将新一代电力半导体供应链内在化，推进战略资产化。
韩国的主力产品——存储芯片工程中不使用镓，韩国半导体企业主要在研发新一代电力半导体时使用镓。此外液晶显示器(LCD)的生产会用到镓，但随着韩国国内企业逐渐减少LCD业务，镓需求大幅减少。
产业研究院副研究委员赵恩教（音）表示:“我们在半导体、电池等尖端产业与中国存在竞争关系，但核心原材料的对华依赖度非常高。对于中国对矿物的出口管制，急需制定长期战略”。
金会昇 高级记者
