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三星电子拟投资70亿美元扩建中国NAND芯片生产线

登录 : 2017-08-29 11:11

应对需求最大的中国市场

第四代V NAND闪存芯片。(图片来源:三星电子提供)

三星电子8月28日宣布,计划在未来三年向位于中国西安的三星中国半导体法人投资70亿美元,(约合7.8万亿韩元)扩建NAND闪存芯片生产工厂。三星电子表示“此举旨在应对中长期NAND闪存芯片市场需求的增加”。

三星电子在7月4日举行京畿道平泽半导体生产线产品出货仪式时宣布,正考虑扩建西安半导体生产线。三星电子的西安半导体生产线建成于2014年,目前处于100%启动状态,三星计划通过扩建生产线打造“规模经济”,应对中国这个全球最大NAND闪存芯片市场的需求。李在镕副会长被判实刑后,曾有不少人担心三星电子的大规模投资决定会往后推迟。分析认为,三星电子此番决定积极投资,主要是为了应对市场需求。

三星电子当日召开经营委员会批准了向中国法人出资23亿美元本金(约2.6万亿韩元)的计划。新扩建的设备将全部用于生产V-NAND闪存芯片。

李岏 记者

韩語原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/marketing/808645.html

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