明年将量产第9代
三星电子7日宣布，开始批量生产全球容量最大的1Tb第8代V（Vertical）NAND。
三星电子于2013年开发并量产全球首款24层垂直堆栈NAND。时隔9年开始量产200层以上的第8代NAND。闪存芯片堆栈层数越多，存储容量就更大，处理速度也更快。
三星电子表示，第8代V-NAND采用最新NAND闪存标准Togle DDR 5.0接口。数据存取速度达到2.4 Gbps（千兆比特每秒），比第七代NAND快1.2倍。第8代V-NAND采用三层式存储单元（Triple Level Cell），在一个Cell中存放3bit数据，是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。
根据市场调查机构Omdia的数据，受智能手机普及和数据中心扩大等影响，NAND市场从2016年的368亿美元大幅增至2021年的684亿美元。NAND不仅具有关机时也能储存数据的优点，而且因其形态小巧，被广泛应用于智能手机、USB、固态硬盘（SSD)中。以今年第二季度为准，在NAND市场，三星电子以33.3%的份额居首位，SK海力士（包括Solidigm）和日本铠侠分别以20.4%和16.0%紧随其后。此外，随着更多汽车上搭载高性能存储器，NAND需求有望进一步增加。三星电子预测称，2030年以后，NAND存储器的主要需求对象将是服务器、移动设备和电装领域。
近年来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。美国美光公司今年7月表示，已经开始生产232层NAND。SK海力士今年8月宣布开发出238层NAND。计划明年上半年投入量产。三星电子计划在2024年开始量产第9代NAND。另外，三星电子还计划到2030年开发出超过1千层的V-NAND。1千层 NAND 的存储容量将是第7代 NAND 的5倍以上。
三星电子存储器事业部闪存开发室副社长许成会（音）表示，将通过第8代V-NAND满足市场需求，提供更加具有个性化的产品和解决方案。
李政勋 记者