文本

三星电子将在10年内向系统半导体投资171万亿韩元

在现有投资计划基础上,再增加38万亿韩元

SK海力士(HYNIT)公司表示“将代工厂的生产能力提高一倍”
产业界对政府的半导体战略表示“欢迎”

三星电子平泽工厂全景。

5月13日,三星电子在平泽工厂举行的民官联合“K-半导体战略报告大会”上表示,截至2030年,将系统半导体领域的投资增至171万亿韩元。这比2019年4月“2030系统半导体展望宣布仪式”时公布的计划(133万亿韩元)增加了38万亿韩元。三星电子强调,投资金将用于“尖端代工工艺研发和生产线的大力建设”。

三星电子还表示,今后将在新一代动态随机存取存储器(DRAM)中率先应用极紫外线(EUV)技术,并致力于开发融合存储器和系统半导体的“HBM-PIM” 高带宽存储器、能够克服DRAM容量局限的“CXL DRAM”等未来存储器解决方案。三星电子副会长金奇南表示:“韩国将在一直保持领先的存储器领域也发起冲击”,“比起原地踏步,不如扩大成无法超越的‘超级差距’,将率先进行投资”。

三星电子为了培育系统半导体产业系统,决定扩大对无生产线半导体设计公司的IP(应用处理器)互惠、支援试制品生产、与合作公司的技术培训等多种活动,并加强与学术界的合作,以培养供应链核心材料、零部件、装备企业的人才。三星电子解释说,随着无生产线半导体设计公司的出现,整体系统半导体产业的技术能力有望得到进一步提高。

SK海力士也表示了扩大投资的意向。代表理事、副会长朴正浩表示:“正在讨论将代工厂的生产能力扩大到现在的2倍的方案。”他还表示,“正在研究增设国内设备、收购合并(M&A)等多种方案。”

金荣培 高级记者,宣谈恩 记者

韩語原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/marketing/995070.html

相关新闻