设计、工艺技术革新,读速、写速提升30%

SK海力士开发的96层堆栈512Gbit TLC 4D NAND闪存和以此为基础正在开发的解决方案产品。SK海力士提供
SK海力士开发出了现有3D闪存芯片升级后的4D闪存。有望在年内投入生产,以缓解偏重于D内存的产业结构。

4日,SK海力士公司表示:“在3D NAND闪存主要应用的CTF(CTF•Charge Trap Flash)结构中,结合使用PUC(PUC•Peri Under Cell) 技术,开发了世界首款‘96层堆叠512Gb核心容量的TLC(TLC•Triple Level Cell)4D闪存’。”这是结合了使存储单元之间干涉最小化的CTF技术和在存储单元领域下部配置周围电路的PUC技术。这也是SK海力士用“4D”代替“3D”作为名字的原因。SK海力士计划年内开始批量生产该产品,并计划从明年开始在忠清北道清州竣工的M15工厂正式投入量产。

该产品的芯片大小比现有的72层堆栈的3D NAND缩小了30%以上,每晶片比特生产增加了1.5倍左右。另外,可同时处理的数据达到业界最高水平--64千兆字节(KB),写速和读速也比72层堆栈的产品分别提高了30%和25%。特别是芯片面积减小,可以用1个芯片代替2个256Gb核心容量的3D闪存,在成本方面是有利的。公司方面解释说,与竞争公司三星电子和东芝推出的96层堆栈的 “3D”闪存相比,在一张晶片上能得到的总储藏容量也有所改善。

SK海力士于今年8月发表了下一代NAND闪存的上市计划,计划今年年内推出搭载96层堆栈的 4D NAND的1万亿字节(TB)容量的消费者用新一代存储装置SSD。另外,72层堆栈的基础企业用SSD也计划将从明年开始转换为96层堆栈,增强其竞争力。

SK海力士计划以此次推出新NAND闪存产品为契机,改善偏重于DRAM的业务结构。“SK海力士”的存储芯片的销售额比重超过了其总销售额的95%,其中DRAM比重占80%以上。SK海力士负责NAND营销的金正泰(音)常务表示:“此次CTF基础96层堆栈4D NAND将起到今后开发NAND产品的平台作用”,“这将成为同时具有业界最高水平成本竞争力和性能的SK海力士产业的里程碑。”

崔玹准 记者

韩語原文: http://www.hani.co.kr/arti/economy/economy_general/868718.html

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