将3D TLC CTF闪存存储单元堆叠至90层以上
超高频、服务器用高附加价值闪存芯片
比竞争对手最多高出两年的技术差距

图为第五代V-Nand(单模容量为256Gb)闪存芯片。
三星电子7日表示,已正式批量生产第五代V-Nand(单模容量为256Gb)闪存芯片。该产品储存传输数据的速度较之第四代产品提高了40%。业界有人士评价称,因此次实现量产,SK海力士及美光科技等竞争对手与三星电子的技术差距将从六个月拉至两年。

第五代V-Nand采用90层以上堆叠技术,将3D TLC CTF闪存存储单元不断堆叠。这些单元以金字塔状结构堆叠,从最上端到底部贯穿几百纳米宽的垂直通道孔洞,内部集成了超过850亿个储存数据的3D TLC CTF闪存存储单元。其中,制造工艺也做了优化,单元层数虽然增加,但每个闪存单元的高度降低了20%,与现有的第四代产品相比,制造生产效率提升了30%以上。因采用新一代NAND接口,传输数据的速度也加快,最高可达到1.4 Gbps(提高40%)。

三星电子表示“采用了三大核心技术:超高速、低电压电路,与第四代V-Nand耗电量相同;大幅减少读取讯号的反应时间,以实现大容量储存、服务移动设备;钨薄膜原子层沉积工艺。从而将性能和生产效率最大化”,“适时推出第五代V-Nand,在高速增长的高级存储芯片市场上展示出了差异化的产品和解决方案”。

崔玹准 记者

韩語原文: http://www.hani.co.kr/arti/economy/economy_general/852636.html

相关新闻

评论专栏

图片视频

热门新闻排行榜