要求美国放宽“未来10年限制5%-10%”规定

位于中国西安的三星电子半导体工厂。（图片来源：三星电子）

根据美国《芯片与科学法案》(CHIPS Act)，三星电子和SK海力士中国工厂的半导体产能将受到限制，韩国政府要求美国政府放宽这一限制。

美国政府当地时间23日发表官报称，韩国政府对美国商务部今年3月公开的《芯片与科学法案》护栏条款提出了正式意见。韩国政府在意见书中表示，护栏条款不能以给在美国投资的企业带来不正当负担的方式履行，我们要求美国政府重新审视规定中的“实质性扩张”(material expansion)和“通用(legacy)半导体”等核心术语目前的定义。

韩国政府虽然在意见书中没有表明“实质性扩张和重新讨论通用半导体的定义”的意义，但有分析认为，这是要求放宽三星电子和SK海力士中国工厂的产能限制。三星电子和SK分别在中国西安、无锡和大连运营半导体工厂。对此，韩国产业通商资源部表示，除了公开的意见书内容外，没有其他说明和立场。

护栏条款规定，如果获得补贴的企业在未来10年内在中国等担忧国家实际扩张半导体产能，必须返还全部补贴。同时，将“实质性扩张”限制在尖端半导体5%，上一代通用半导体10%。据悉，韩国政府要求将尖端半导体实际扩张的标准从原来的5%提高到10%。另外，美国商务部将通用半导体标准定义为DRAM为18纳米以上，NAND闪存为128段以下，韩国政府似乎也要求放宽这一标准。三星电子和SK海力士也提交了意见书，但公开版本中并未包含该内容。

美国半导体行业协会(SIA)和国际半导体设备与材料协会(SEMI)也在向美国商务部提交的意见书中要求，将实质性扩张的标准增加到10%，或不将现有生产设备的升级或更换视为实质性扩张。美国商务部前一天已结束意见受理，计划于年内公布规定。

金会昇 高级记者